同样是闪存 为何TLC更受3D NAND的欢迎
日期:2017-11-23

正当闪存芯片面临制程工艺发展瓶颈之际,3D NAND以一种星火燎原之势,成为存储发展的新希望。尤其是进入到2017年,以3D NAND Flash为核心开发的存储新品相继迸发,例如国内存储大厂影驰就以Toshiba 3D NAND,特别推出了全新ONE系列SSD

同样是闪存 为何TLC更受3D NAND欢迎

关于3D NAND,网上已有丰富而详细的介绍,此刻再提似乎老生常谈,但深入挖掘,其仍有值得探讨和剖析的地方。其中有一点如果大家稍加留意就会发现,3D NAND目前主要应用于TLC闪存,在MLC和SLC闪存上则很少。此刻的你一定想问为什么。

同样是闪存 为何TLC更受3D NAND欢迎

在3D NAND出现之前,SSD虽然带来了前所未有的极速体验,但是价格与容量上的限制,让它难以完全取代HDD。所以SSD的普及,需要跨越价格与容量两座大山。

同样是闪存 为何TLC更受3D NAND欢迎

我们回到闪存类型上来。事物的自身属性,往往决定了其使用价值。在三大类型的闪存中,SLC和MLC闪存性能最好,生产成本最贵,所以这两类颗粒一般定位于高端或者企业级,受众人群比较有限。而TLC闪存虽然性能和寿命不及前两者,但在成本上占据明显优势,成为入门级别的首选。

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另外一方面,一个单元下,MLC和SLC闪存分别只可以存储2个信息和1个信息,而TLC闪存则达到了3个。换句话说,同样单元下TLC闪存所存储的信息最多。

所以从价格和容量这两个角度进行考虑,TLC闪存最有机会成为SSD普及的内在核心。但这一切,最终还得要建立在TLC闪存寿命的延长和性能的稳定上。

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提高TLC的使用寿命和稳定性,自然成为了闪存芯片厂商发力的重点。而3D NAND的出现,正好迎合了这样的需求。

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3D NAND技术可以在不升级闪存芯片制程的前提下,透过立体堆叠设计,使单die拥有更高的存储密度,减少闪存的使用,从而达到增加容量、减少成本的目的。

除此之外,因为不用追求更先进的制程,意味着可以使用相对更旧的工艺来生产3D NAND闪存。这样的好处在于能大幅提高P/E擦写次数(制程越先进,寿命越短,反之则越长),电荷干扰的情况也因此大幅减少。

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最终,3D NAND的到来,让原本口碑欠佳的TLC闪存焕发新生。并在低成本的3D NAND TLC Flash的支撑下,其产品售价快速逼近HDD,逐渐触及SSD价格甜蜜点,加速推动SSD的普及。

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